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在业界频传NAND闪存价钱迅猛下滑之际，作为市占率近34%的寰球最大闪存供给商三星电子，却仍在逆势减少投资，并官宣其闪存产品将涨价10%。目前，这一涨价幅度，已为中国部份厂商承受。
1月十二日，华尔街见闻得悉，三星电子在西安的一个三期NAND闪存名目，进入了苹果智能手机NAND闪存供给链。此前，三星电子已经是已经苹果公司最大的DRAM芯片供给商。
然而，降价10%极可能并不是三星电子的次要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅提价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅提价，个中缘故，不问可知。
逆势增资：三星心路人知
受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润遭到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。
寰球存储器市场构造怎么样？
据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示，截至2021年，三星在DRAM市场份额为42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND闪存方面，截至2022年Q2，三星电子具有33.9%的市场份额，位列寰球第一；经过收购Intel NAND Flash闪存业务，SK海力士组建了新公司Solidigm，市场份额升至19.9％，紧随三星电子之后排名第二。
值得一提的是，三星电子在NADA闪存市场获取寰球第一的市场位置，源自由2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风波中三星的逆势增资扩大。
这是一次极其胜利的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子外行业低迷期扩张投资范围，终究击败过后市场份额当先于三星电子的对手，好比德国奇梦达、日本“国度队”尔必达和东芝。
这次胜利教训，充沛解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为什么仍勇于逆势增资扩产的决心迷局。
2022年，半导体行业进入上行周期，存储市场占领半导体约30%的比例，故遭到较大行业上行影响：包罗三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均泛起亏损。
因此，行业格调激进，一众巨头也开始膨胀业务。好比美光方案将2023财年投资额，从2022财年的十二0亿美元，下调至70亿-75亿美元；同时，还将大幅增加2024财年的资本收入；SK海力士也在2022年10月宣告，2023年的装备投资估算幅度，将比2022年增加超过50%。
然而三星例外，其投资格调极其保守，这与美光和SK海力士因市场低迷而膨胀业务范围的做法，显得分外不同凡响。
地下动静显示，三星电子已抉择，在2023年晋升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部份来自中国的三星新投资名目。
1月十二日，华尔街见闻从供给链理解到，三星西安三期名目十二寸（300妹妹）晶圆厂将于2月中旬动工。这个名目本来定于2022年十二月启动，但受表里多种要素影响，故而有所延期。
三星电子西安三期名目总投资高达3000亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的出产基地，与前两期名目的产能合并后，将占领三星电子NAND寰球总产能的40%。前两期名目已达产，每个月出产十二英寸晶圆量达25万张，年营收高达1000亿元人民币。
与台积电或英特尔均已做出的增产方案比拟，三星电子一样属于逆势“加仓”。此举阐明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工畛域反超台积电。
除了中国名目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的NAND闪存装备做降级。
P1的NAND线预计将革新为V8（238层）NAND量产线，可加工约3万张晶圆。此前，有动静称，三星电子可能会在2023年下半年，投资已实现外装工程的平泽4号厂房（P4）一期工程新的NAND出产线。
据中国台湾市场钻研公司Trend Force的统计数据，截至2022年底，三星电子NAND晶圆月产量约为64.5万张。就半导体投资而言，三星电子抉择在一切畛域都放弃2021年的程度。
另据英国市场钻研公司Omdia的数据显示，NAND市场价值约为665亿美元。鉴于此等范围的市场前景，三星也许想经过减少NAND产能，以挤压或兼并范围较小的行业企业。目前，在NAND畛域，仍有6-7家企业在争取寰球规模内的市场份额。
伎俩：降价、扩产、提价
1月6日，这家韩国市值最高的公司对表面示，2022年10月-十二月季度营业利润可能同比降落 69%，低于市场预期的38%降幅，创下2008年同季度以来的最大降幅纪录。
与2022年三季度比拟，用于智能手机和其余装备的NAND闪存基准在2022年四季度期间，跌幅达到14%。
能够说，三星电子面临行业低迷和公司事迹下滑的两重压力，却仍在逆势增资扩产。这家公司表现，将持续从中长时间的角度为市场复苏做筹备。
由上文可知，三星对逆势投资有过胜利教训。多年来，三星经常外行业不景气时代做巨额投资，以在下一个繁华时代击败竞争对手，从而引领寰球内存市场。
俗语说，手中有粮，心中能力不慌。
三星勇于逆势大举增资，底气来自其具有的范围宏大的现金贮备。截至2022年9月底，三星持有约十二8.8万亿韩元（约合1010亿美元）现金，约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。
韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣告，方案将半导体和电池等策略技术资本收入的税收减免，从8%扩张到15%，接近翻倍。
除了想靠技术实力、产能范围压抑对手，复制2006-2009年的那次胜利逆袭，还有个首要缘故，即三星电子已胜利进入苹果NAND闪存供给链。此事得益于中国外乡一家NAND闪存巨头遇到的家喻户晓的技术限度。
这家中国公司在遭受技术束缚后，三星电子成了苹果公司在中国的NAND存储芯片代替供给商。华尔街见闻得悉，三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供给NAND闪存。目前，这个工厂的三期工程将于2月开工。
值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将降价10%，而部份中国公司已承受这一报价。
然而，据地下报导显示，三星电子可能会于2023年开启包罗NAND闪存在内的大幅提价，以进一步进步在寰球存储芯片市场的份额。
对NAND技术、产能和价钱三者之间瓜葛的了解，也能从另外一个角度解释三星电子为什么逆势增资的用意。
在NAND畛域，NAND制作商做的剧烈技术角逐，集中在减少垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术，但三星以为，“首要的不是层数，而是产能以及专一于提供拥有价钱竞争力的更优解决计划”。
说是这么说，但三星并无放松NAND的技术迭代，其技术程度也极其高超。
目前，三星电子出产的第八代V-NAND高达230层；第9代V-NAND也已在研发过程当中，预计2024年量产。2030年，三星将推出高达1000层的V-NAND产品。
鉴于DRAM的关于消费电子级的首要性，三星也在重兵规划这个标的目的。
为推动10nm规模之外的微缩，三星电子正在开发图案、资料和架构方面做继续冲破。
2022年底，三星民间透露，其行将推出的DRAM解决计划包罗32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决计划。另外，三星方案到2030年完成亚纳米DRAM。 |
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