美韩企业竞争白热化！SK海力士解围：推出寰球首款238层闪存芯片

浅草

近期，NAND闪存芯片更新换代的速度堪称是“追风逐电”。在一段时间内，美韩企业在闪存芯片畛域的竞争似乎进入了“白热化”阶段。
往年7月26日，美国的美光科技宣告，将会开始对其最早进的NAND闪存芯片进行出货。据理解，美光科技是寰球首个将NAND芯片开发超过200层的企业，而该公司将会于2022年的年底开始量产最新的闪存芯片。

而就在美光科技的宣告仅仅刚过了8天，韩国芯片产业的巨头SK海力士在8月3日表现，该公司现如今曾经胜利研收回了238层的闪存芯片。与美光科技最新闪存芯片232层的贮存单元比拟，SK海力士的该款芯片多出了6层贮存单元。
8月3日，SK海力士在寰球峰会上地下了这款238层的闪存芯片。SK海力士表现道：“这是咱们在胜利研发176层闪存芯片之后，再次胜利研发的业界最高层数的闪存芯片”，SK海力士同时增补道：“这款最新的闪存芯片将会在2023年的上半年开始量产。”

据业内人士透露，SK海力士的这款闪存芯片对业界意义不凡，由于它不只是现如今体积最小的闪存芯片，同时仍是寰球首款最高层数的闪存芯片。与SK海力士上一代闪存芯片比拟，这款芯片的数据传输速度将会达到2.4GB/秒，同时功耗将会增加至21%。

一个在2022年年底开始量产，而另外一个紧随着就会在2023年上半年开始量产。即便美国美光科技232层闪存芯片量产的时间比韩国的SK海力士要早，然而凭借着6层贮存单元的劣势，SK海力士也许会超过美光科技，提前抢占闪存芯片的国内市场。
文|张雅题|黄梓昕审|李泽钚

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