动静称三星第三代4nm芯片将于2023年上半年量产

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原标题：动静称三星第三代4nm芯片将于2023年上半年量产  
3 月 13 日动静，据 BusinessKorea 报导，三星将于往年上半年开始量产第三代 4 纳米芯片，将不乱制程初期阶段的良率问题，以及晋升机能、功耗和做露面积改进。  


图源 Pexels  
三星电子 十二 日发布的《三星电子事业讲演书》中显示，三星将于往年上半年开始量产基于 4nm 工艺的 2.3代芯片。  
这是三星电子初次提及 4 纳米后续版本的详细量产时间。与 4 纳米芯片的初期版本 SF4E 比拟，第二代和第三代产品表示出了更好的机能，并且还带来了更低的功耗和更小的面积。  
不外，三星电子在 SF4E 芯片完成商用之后在芯片产量的办理上也遇到了一系列困难，终究由于能耗表示欠安再加之产能限度将大客户高通拱手让给了台积电。  
业内人士估量，三星电子目前 4 纳米工艺良率可达到 60%，而台积电同类型良率可达到 70~80%。专家们以为，三星电子良品率正在迅速进步，后续产品的量产也在放慢。  
跟着三星电子在先进工艺上不停冲破，在机能进步的条件下包管产能，预计可在 5nm 级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。  
置信常看IT之家的用户大都分明，当下最早进的半导体工艺是 3nm 级别，但无论是台积电仍是三星目前的次要产品仍是 4nm 和 5nm。  
按照市场钻研公司 Counterpoint Research 的数据，截至去年第三季度，4 纳米和 5 纳米工艺占销售额占比最高，达到了 22%，超过了 6 纳米和 7 纳米工艺的 16% 和 16、14 和 十二 纳米工艺的 十一%。  
【来源：IT之家】