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智己 L6 想吊打小米 SU7，后果被反杀
初到车圈的小米，也马上迎来了本人在友商公布会上的首秀：在昨晚的智己 L6 公布会上，小米 SU7 作为对标对象在参数上被智己 L6 处处吊打，要知道，在以往，被吊打的对象个别是特斯拉 Model 3 乃至是 Model S。
个别而言，这类比较就是以己之长攻彼之短，凸起劣势部份，展现平手部份，暗藏优势部份，营建一种稳赢大赢特赢，「80 对 60，劣势在我！」的气氛感。但部份事实也是事实，事实无可反驳，个别被比较方生个闷气也就算了。不外在智己 L6 吊打小米 SU7 的过程当中，恰恰泛起了虚伪信息。
在这张智己 L6 超强机能版比较小米 SU7 Max 三电参数 PPT 中，智己把小米 SU7 Max 的双机电形容成为了「前 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），后 SiC（碳化硅）」，而本人的却是双 SiC。IGBT 和 SiC 都是半导体资料，运用于电车机电傍边，个别来讲，SiC 的机能和能效会优于 IGBT，所以双 SiC 机电的配置，也个别优于「前 IGBT，后 SiC」。
不外小米 SU7 Max 也是双 SiC 的配置，这就象征着智己在公布会上伪造并传布了虚伪信息，主观上争光了小米 SU7 Max 的配相信息。
讲部份事实能够说是在风险边沿摸索，但讲虚伪信息，那可就实真实在越界了。
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