台积电 3nm 制程工艺今日正式量产

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十二 月 29 日动静，台积电明天将在台南迷信园区举行 3 纳米量产暨扩厂仪式，正式宣告启动 3 纳米大范围出产。董事长刘德音以及逾 200 供给商与火伴列席。据悉，台积电的南科芯片 18 厂是 5 纳米及 3 纳米的出产基地，其中，芯片 18 厂 5 期至 9 期厂房是 3 纳米出产基地。  
新年伊始，台积电将采取产能无限的 N3 节点工艺，而后在 2023 年晚些时分转向更不乱、更高效的片面出产的 N3E，随后在 2024 年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹工厂将其 2 纳米 GAA 工艺投入试出产，并在 2025 年进行大范围出产。  
在此前多个季度的财报剖析师电话会议上，台积电 CEO 魏哲家曾表现，他们在按方案推动 3nm 制程工艺以可观的良品率在下半年量产，在高机能计算和智能手机运用的推进下，预计产量在 2023 年将安稳晋升。  
台积电在官网发布的信息显示，他们的 3nm 制程工艺，是 5nm 之后的另外一个全世代制程，具备最好的 PPA 及电晶体技术。同 5nm 制程工艺比拟，3nm 制程工艺的逻辑密度将减少约 70%，在相反功耗下速度晋升 10-15%，或者在相反速度下功耗升高 25-30%。  
IT之家理解到，三星于 6 月开始制作 3 纳米半导体，并筹备在 2024 年推出更节能的 3 纳米节点。该公司的芯片将被用于 Nvidia 显卡、高通挪动处置器、IBM CPU 和百度云办事器芯片。目前，三星在寰球半导体市场份额方面远远后进于台积电，位居第二。  
来源：IT之家